宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經量產的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。該授權閃存技術具有單元尺寸小，編程效率高和無過度擦除的優點，顯著減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場上極具競爭力。與此同時，此新技術具有極高的耐擦寫能力和數據保持特性，可重復擦寫10萬次，數據可保留100年。

該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程，易于技術遷移。此兼容特性可確保讓客戶購買的標準單元庫和IP效益最大化，從而降低成本。

另外，宏力半導體針對SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米的低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件，因此可以節省光罩層數。

“宏力正在進行獨立閃存芯片的大批量運行生產，這使我們具有明顯的優勢來確保穩定可靠的嵌入式閃存良率。”宏力半導體市場服務單位副總裁衛彼得博士表示，“該新技術可廣泛應用于MCU、USB 密鑰、智能卡、汽車電子等領域，并為我們的客戶提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺。”